Modele de cellule de commutation pour les etudes de pertes et de performances cem

par MAHDI AKHBARI

Thèse de doctorat en Sciences et techniques

Sous la direction de JAMSE ROUDET.

Soutenue en 2000

à l'INP GRENOBLE .

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  • Résumé

    Dans le contexte de la predetermination des pertes par commutation et des performances cem (comptabilite electromagnetique) des convertisseurs statiques d'electronique de puissance lors de la phase de conception technologique, cette these est consacree a l'elaboration d'un modele precis de la cellule de commutation mosfet-diode pin. Dans cette etude trois aspects ayant d'importantes influences sur les formes d'ondes temporelles des commutations aussi bien de la partie puissance que celle de commande sont traitees : i) les interconnexions et des elements parasites liees a l'implantation geometrique et au choix de la technologie de realisation des convertisseurs statiques ii) la dynamique des charges dans la base large des composants bipolaires semiconducteurs (ici la diode pin) qui est de nature distribuee iii) les capacites non-lineaires parasites de mosfet et en particulier la capacite d'entree et miller intervenant lors de commutation le modele de cellule de commutation est valide en comparant les simulations effectuees avec les mesures sur le prototype realise a cette fin. Il a ete montre que le domaine de validite du modele est beaucoup plus large par rapport aux modeles existants : le modele est relativement robuste devant les changements des conditions de circuit environnant des composants semiconducteurs et les variations du point de fonctionnement. Des applications reelles presentees au dernier chapitre ont pour but de montrer d'une part l'importance de l'environnement parasite des semiconducteurs dans la modelisation fine des convertisseurs statiques et d'autre part la possibilite de rendre compatible le modele aux cas plus complexes (plusieurs interrupteurs en parallele).

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Informations

  • Détails : 166 p.
  • Annexes : 81 ref.

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