Simulation technologique et electrique de couches de silicium polycristallin application aux transistors couches minces

par Thierry Gaillard

Thèse de doctorat en Electronique

Sous la direction de Olivier Bonnaud.

Soutenue en 1999

à Rennes 1 .

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  • Résumé

    Ce travail traite de l'adaptation du logiciel de simulation micro-electronique developpe par silvaco afin de simuler technologiquement et electriquement le silicium polycristallin. Le but ultime est de simuler le fonctionnement electrique des transistors couches minces en polysilicium. La premiere etude permet la simulation technologique grace a la modelisation de la vitesse de depot du polysilicium en fonction des parametres de depot ainsi qu'a la calibration des parametres de gravure des couches d'oxyde et de polysilicium inclus dans le logiciel athena. L'adaptation des proprietes electriques est realisee par l'introduction, dans le logiciel de simulation electrique atlas, d'un modele mathematique de la mobilite electronique prenant en compte la concentration de dopants dans la couche. La concentration de porteurs libres est deduite en modelisant la densite de defauts dans la bande interdite. Ces resultats appliques a des transistors couches minces de type nmos de plusieurs dimensions ont permis de simuler leurs caracteristiques de transfert en direct et en inverse. Dans ce dernier cas, la modelisation de la conduction est amelioree grace a la prise en compte de l'effet tunnel, preponderant dans la partie du canal situee pres du drain.

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Informations

  • Détails : 167 p.
  • Annexes : 88 ref.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université de Rennes I. Service commun de la documentation. Section sciences et philosophie.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TA RENNES 1999/2
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