Mise en uvre d'une nouvelle methode de caracterisation en bruit de composants actifs : etude du bruit hf de dispositifs a heterojonction pour les applications millimetriques

par VALERIE DANELON

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Guy Vernet.

Soutenue en 1999

à Paris 11 .

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  • Résumé

    Ce memoire de these s'inscrit dans le cadre general de l'etude en bruit des composants actifs dans le domaine des micro-ondes et du millimetrique. Le niveau de bruit genere par un transistor associe a ses performances dynamiques vont determiner ses limites de fonctionnement. De plus, l'etude du bruit du dispositif est une source importante d'informations relatives aux mecanismes physiques impliques. Ces informations pourront etre exploitees par le technologue qui optimise la structure du composant. La caracterisation en bruit consiste fondamentalement a determiner les 4 parametres de bruit du composant. Elle implique la mise en uvre de methodes specifiques de mesure et d'extraction. Cependant, les techniques d'extraction proposees pour l'obtention des parametres de bruit ont des limitations. Ainsi, les methodes de mesure de bruit sous 50 ohms pour les transistors a effet de champ ne sont pas utilisees dans le cas des composants bipolaires. Par ailleurs, les methodes existantes sont difficilement applicables a la mesure de dispositifs refroidis situes dans un environnement cryogenique. La nouvelle approche proposee et developpee dans cette these est une alternative aux methodes standards puisqu'elle autorise l'etude de tous type de composant et que les principes et le banc sur lesquels elle est basee permettent des mesures de bruit a basse temperature. Nous presentons dans ce memoire (qui se veut etre aussi un outil de travail), les principes et le developpement de cette nouvelle methode de caracterisation en bruit de composants actifs. Il contient donc les bases necessaires a la comprehension des mesures des 4 parametres de bruit, expose la methodologie associee, donne la procedure a suivre pour la mise en place d'un banc de mesure de bruit et sa validation a travers des mesures comparatives et une modelisation du banc. Enfin, cette nouvelle methode est appliquee a une etude extensive du bruit de transistors bipolaires a heterojonctions sur inp du cnet bagneux.


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Informations

  • Détails : 312 P.
  • Annexes : 199 REF.

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  • Disponible pour le PEB
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH2014-014098
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