Contribution à l'étude des propriétés structurales et magnétiques de siliciures et germaniures ternaires RTX, RTX2 et RT2X2 (R = La et lanthanoïdes ; T = Cr, Mn, Fe, Co)

par Ismaïl Ijjaali

Thèse de doctorat en Chimie minérale

Sous la direction de Bernard Malaman et de Gérard Venturini.

Soutenue en 1999

à Nancy 1 .


  • Résumé

    Ce mémoire porte sur l'étude des propriétés structurales et magnétiques de siliciures et germaniures ternaires RTX, RTX2 et RT2X2 (R = La et lanthanoïdes ; T = Cr, Mn, Fe, Co) isotypes de CeFeSi ou TiNiSi, LaMnSi2 et ThCr2Si2, respectivement. La détermination sur monocristal des coordonnées atomiques des composés RTX, isotypes de CeFeSi ou TiNiSi, nous a permis de préciser la cristallochimie de ces matériaux. Nous avons ainsi montré que la transition structurale "CeFeSi-TiNiSi" résulte de la conjugaison d'effets géométrique (taille de l'élément R) et électronique (interactions R-T). Le développement consacré aux solutions solides, isotypes de CeFeSi et ThCr2Si2 nous a conduits à la détermination des diagrammes de phases magnétiques des systèmes La1-xYxMnSi et La1-xYxMn2Si2. Nous avons pu ainsi préciser l'influence du facteur géométrique (dMn-Mn intraplanaire) et électronique (dMn-Si) sur le comportement magnétique du manganèse dans ces familles de composés caractérisés par des plans carrés de métal de transition. L'étude magnétique des composés RMnX isotypes de TiNiSi nous a permis d'étendre notre analyse à d'autres arrangements cristallographiques du sous-réseau de manganèse (chaînes infinies Mn-Mn). Par ailleurs, la mise en évidence, au cours de ce travail, d'une variété haute température, isotype de TiNiSi, pour les composés ThMnSi et NdMnGe, signalés jusqu'à présent de type CeFeSi, nous a permis de comparer le comportement magnétique du sous-réseau de manganèse dans ces deux types structuraux à R et X donnés. [. . . ]


  • Pas de résumé disponible.


  • Résumé

    This thesis reports on the structural and magnetic properties of ternary RTX, RTX2 and RT2X2 (R = Lanthanides; T = Cr, Mn, Fe, Co ; X = Si, Ge) isotypic with CeFeSi or TiNiSi, LaMnSi2 and ThCr2Si2, respectively. The accurate determination of the atomic coordinates in the CeFeSi-type RTX compounds by X-ray single crystal analysis allows us to specify the crystal-chemistry of these materials. We thus shown that the structural transition "CeFeSi-TiNiSi" results from the interplay of geometrical (R element size) and electronic (R-T interactions) effects. The development devoted to the CeFeSi and ThCr2Si2- type solid solutions led us to the deterrnination of the magnetic phase diagrams of the systems La1-xYxMnSi and La1-xYxMn2Si2. We thus could specify the influence of the geometrical (dMn-Mn intraplane) and electronic factor (dMn-Si) on the magnetic behavior of manganese in these compounds characterized by manganese square planes. The magnetic study of the RMnX compounds with TiNiSi structure enabled us to extend our analysis to the other structural arrangements (infinite chains) of the manganese sublattice. Moreover, the evidence during this work of new high temperature TiNiSi-type structure form for ThMnSi and NdMnGe compounds, previously reported as isotypic of CeFeSi, allows us to compare the magnetic behavior of manganese sublattice in these two structural types for given R and T atoms. [. . . ]

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Informations

  • Détails : 1 vol. (146 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Réf. bibliogr. en fin de chapitres

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  • Cote : 99 NANC IJJ
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