Transport dans les composants en présence de centres profonds : modélisation numérique et analytique

par Mohamed Oulmane

Thèse de doctorat en Électronique, optronique et systèmes

Sous la direction de Jean-Claude Manifacier.

Soutenue en 1999

à Montpellier 2 .


  • Résumé

    Les materiaux iii-v, et plus particulierement le gaas ou l'inp, presentent lors de leur fabrication un certain nombre d'impuretes dont les niveaux d'energie sont profonds. Quelques unes de ces impuretes ont des concentrations importantes. C'est le cas du centre el2 bien connu dans le gaas ou bien du niveau du fer introduit dans l'inp pour le rendre semi-isolant. Ces concentrations importantes influent grandement sur les proprietes de conduction du materiau de deux manieres : par (i) le stockage (piegeage d'electrons et de trous) d'une importante charge d'espace et aussi par (ii) une contribution aux mecanismes de recombinaison des paires electron-trou influencant ainsi les durees de vie des porteurs. Le propos de ce travail est de simuler et modeliser, essentiellement en une dimension, le transport de charge dans de tels materiaux, en particulier le gaas dont les parametres les plus communement admis ont ete utilises. Ceux des centres profonds pris en compte, un centre piege et un autre recombinant, ont ete varies de facon a avoir differents cas de figures. La modelisation a trait a l'etude des caracteristiques courant-tension, puis de l'admittance d'une jonction p +n en statique et en petits signaux. Ceci a ete fait en presence et l'absence de centres profonds pour comparaison. Enfin, une structure p +-si-n en une puis deux dimensions est presentee pour montrer que l'effet de modulation de la conductivite de la zone semi-isolante permet de creer une amplification commandee en courant.


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  • Détails : v, 242 p
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