Caractérisations de couches minces de CuGaSe2 obtenues par MOVCD

• Auteur / Autrice : Nahel Romain
• Direction : SIMONE DUCHEMIN
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Matér. de l'électronique et de l'ionique du solide
• Date : Soutenance en 1999
• Etablissement(s) : Montpellier 2

Mots clés

Mots clés contrôlés

Effet photovoltaïque

Photopiles

Matériaux

Composés organométalliques

Couches minces

Chalcopyrite

Dépôt chimique en phase vapeur

Réfractométrie

Spectrophotométrie

Résumé

Des echantillons en couches minces de cu xga yse z proches de la stchiometrie de valence (x + 3y 2z) ont ete fabriques par mocvd a partir de trois composes organometalliques. Diverses compositions allant des riches en cuivre aux riches en gallium ont pu etre analysees et caracterisees. Quelque soit la composition, une forte orientation preferentielle est observee dans la direction 112. La structure cristalline et la largeur de bande interdite du cu 2se, du cugase 2, du cuga 3se 5 et du ga 2se 3 fabriques ont ete etablies. Les caracterisations electriques revelent une densite de porteurs elevee. La photoluminescence a permis d'identifier les defauts intrinseques les plus couramment observes. Par spectrophotometrie, il a ete possible de determiner l'epaisseur, les indices n et k des couches, ainsi que d'evaluer les seuils des transitions a, b, c et leurs types.