Contribution à l'étude des mécanismes de guérison intervenant dans la sélection des composants de type mos utilisés en environnements radiatifs

par Olivier Quittard

Thèse de doctorat en Électronique, optronique et systèmes

Sous la direction de Jean Fesquet.

Soutenue en 1999

à Montpellier 2 .


  • Résumé

    L'utilisation de composants electroniques en environnement radiatif (electronucleaire, spatial) pose le probleme de leur vulnerabilite a la dose ionisante cumulee. Cette vulnerabilite est largement conditionnee par la polarisation appliquee au composant pendant son utilisation. Sous irradiation, un composant mos se degrade moins vite en l'absence de polarisation que lorsqu'il fonctionne. De meme, les caracteristiques electriques s'ameliorent pour une irradiation debutee sous polarisation et poursuive en l'absence de polarisation. On parle alors de phenomene de ricn (neutralisation de la charge induite par les radiations). D'autre part, l'utilisation de plus en plus importante de composants du commerce (commercial off the shelf), plus ou moins vulnerables au rayonnement, conduit a s'interesser a leurs caracteristiques de degradation et de recuperation sous irradiation en fonction des conditions de polarisation. Le travail presente ici concerne la mise en place d'une methodologie generale de test des cots pour l'environnement radiatif, qui prend en compte les conditions d'utilisation (temperature, polarisation) du composant. Apres avoir decrit les phenomenes physiques a l'origine de l'evolution de la charge piegee dans le volume d'oxyde des composants mos, nous presentons la guerison par ricn et ses implications dans la selection de composants en environnements radiatifs. L'etude a porte sur des inverseurs cmos provenant de trois constructeurs et des srams. Dans la derniere partie, nous comparons le modele analytique de la guerison par ricn elabore lors de cette etude avec les donnees experimentales.


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  • Détails : 132 p
  • Annexes : Bibliogr.: p. 125-132

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