Modèles non linéaires distribués des transistors à effet de champ : application à l'analyse de stabilité des transistors à fort développement de grille

par Benoît Mallet-Guy

Thèse de doctorat en Télécommunications

Sous la direction de Raymond Quéré.

Soutenue en 1999

à Limoges , en partenariat avec Université de Limoges. Faculté des sciences et techniques (autre partenaire) .


  • Résumé

    Le travail presente dans ce memoire concerne la modelisation electrique distribuee des transistors a effet de champ hyperfrequences afin de disposer d'une description plus fine de ce composant pour la cao des circuits microondes. Deux nouvelles approches de modelisation sont presentees. Elles s'appuient toutes les deux sur la caracterisation experimentale du transistor. Dans la premiere, le canal est represente par une ligne de transmission active. Le modele non lineaire resultant a montre, lors de sa validation par des mesures du type load-pull, une reelle amelioration a reproduire le mecanisme de saturation de la puissance de sortie. Le deuxieme modele presente dans ce manuscrit utilise une description electromagnetique des parties passives du transistor, tandis que chaque doigt du composant est modelise par un circuit equivalent electrique intrinseque. Ce modele a montre des qualites tres interessantes d'extrapolation de la taille et de la geometrie du transistor modelise. Il permet egalement une etude beaucoup plus realiste de la stabilite des transistors a fort developpement de grille.


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Informations

  • Détails : 162 p
  • Annexes : 93 ref.

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