Fonctions électroniques non linéaires pour les applications spatiales au dessus de 100 GHz

par Reynald Havart

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Didier Lippens.

Soutenue en 1999

à Lille 1 .


  • Résumé

    Ce travail est consacre à l'étude, aux longueurs d'ondes millimétriques et submillimétriques, des fonctions de multiplication de fréquence et de mélange pour les têtes de réception hétérodynes utilisées dans le domaine spatial. Pour les applications en multiplication de fréquence, nous avons privilégié de par leur caractéristique C(V) paire, l'utilisation d'hétérostructures Simple Barrière Varactor. Trois structures épitaxiales de diodes SBV ont ainsi été considérées pour optimiser le rendement de conversion. Les deux premières ont consisté à bloquer la conduction à l'aide d'une barrière à couches alternées et à augmenter le contraste en capacité au moyen de plans de dopage ou de puits de potentiel. La troisième solution a reposé sur la mise en série épitaxiale de deux cellules SBV afin de diminuer la constante RsC. C'est sur la base de ce dernier composant que nous avons défini les performances d'un multiplicateur de fréquence 3x80 GHz. Ce travail a permis de mettre en évidence les rôles prépondérants des conditions d'adaptation d'impédance ainsi que de la résistance série.


  • Pas de résumé disponible.


  • Résumé

    Par ailleurs, à l'heure ou quelques multiplicateurs utilisent un composant varactor afin de générer de la puissance à des fréquences proches du Terahertz, nous avons montré à l'aide d'une méthode Monte-Carlo que dans ce cas, le phénomène de saturation en courant doit absolument être pris en compte. Toutefois pour de faibles excursions en tension, la diode SBV prépuits-postpuits peut s'affranchir de cette limitation. C'est sur cette base que nous avons étudié le second étage d'une chaîne de multiplication 83x3x3 GHz. Pour la fonction mélange, notre travail a porté sur l'étude des potentialités d'un mélangeur subharmonique à 560 GHz utilisant un montage antiparrallèle de diodes Schottky. Les premiers calculs ont montré la forte dépendance du gain de conversion en fonction de la résistance série. Ainsi ici encore, de gros efforts technologiques doivent être effectués pour diminuer la valeur de Rs.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (118 f.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. à la suite de chaque chapitre

Où se trouve cette thèse\u00a0?

  • Bibliothèque : Lilliad Learning Center Innovation (Villeneuve d'Ascq, Nord).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 50376-1999-97
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