Contribution a l'etude par spectroscopie dlts des niveaux profonds induits par une preamorphisation du silicium et realisation de jonctions ultra-minces p +n

par FARID BOUSSAID

Thèse de doctorat en Conception de circuits microélectroniques et microsystèmes

Sous la direction de François Olivié.

Soutenue en 1999

à Toulouse, INSA .

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  • Résumé

    Une etude, basee sur la spectroscopie capacitive dlts, a ete conduite pour analyser et caracteriser les defauts electriquement actifs induits par une etape de preamorphisation du silicium par l'ion germanium. L'introduction d'une telle etape technologique, avant l'implantation du bore, le dopant privilegie de type p, vise a limiter la canalisation du bore en vue de l'obtention de jonctions ultra-minces p +n (<0. 1 m) requises par l'integration ulsi des transistors submicroniques pmos. L'analyse dlts de telles jonctions a revele que l'etape de preamorphisation etait a l'origine de la formation de deux types de defauts electriquement actifs, introduisant dans la bande interdite les niveaux energetiques e c 0. 20 ev et e c 0. 45 ev. Elle a, en outre, et pour la premiere fois, mis en evidence l'ampleur de ces defauts, localises bien au-dela de la profondeur maximale predite par les outils de simulation de l'implantation ionique. La presence de l'element bore dans la composition de ces defauts a ete avancee pour expliquer une telle distribution spatiale. Dans le cadre de cette etude, une nouvelle methode haute resolution, baptisee mp-dlts, est proposee pour extraire les parametres physiques caracteristiques des defauts, et ce, meme pour de faibles valeurs du rapport signal sur bruit. En outre, une contribution importante de ce travail, d'un point de vue technologique, cette fois, reside dans la mise en place effective de l'etape technologique de preamorphisation, ainsi que des procedes technologiques d'obtention de structures tests requises pour toute etude par spectroscopie capacitive dlts.


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Informations

  • Détails : 165 p.
  • Annexes : 112 ref.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1999/514/BOU
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