Génération des porteurs chauds et fiabilité des transistors mos sub-0,1 µm : influence de l'architecture des composants

par Bertrand Marchand

Thèse de doctorat en Sciences et techniques

Sous la direction de Francis Balestra.

Soutenue en 1999

à Grenoble INPG .

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  • Résumé

    L'etude des effets de porteurs chauds pouvant induire une degradation electrique des circuits integres est d'une grande importance pour les composants avances. Dans les transistors fortement submicroniques, la caracterisation et la modelisation a temperature ambiante et a basses temperatures de l'ionisation secondaire par impact et du courant de grille qui en resulte, completee par l'etude de l'emission lumineuse liee a ce mecanisme, ont ete menees a bien, apportant une meilleure comprehension de la generation de porteurs chauds dont l'energie est responsable de la creation d'etats d'interface et de la degradation des performances des composants. Tirant profit de l'acceleration du vieillissement electrique par l'intensification de l'ionisation secondaire, une nouvelle methode de prediction de la duree de vie des transistors dans leurs conditions nominales de polarisation est proposee. Enfin, l'impact du type de contrainte electrique et de l'architecture technologique sur la fiabilite des composants sont etudies.


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Informations

  • Détails : 1 vol. (110 p.)
  • Annexes : 76 ref.

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