Developpement de la methode tlm en vue de son application a la compatibilite electromagnetique

par CORNELIA BISCOVEANU GOLOVANOV

Thèse de doctorat en Sciences et techniques

Sous la direction de Pierre Saguet.

Soutenue en 1999

à l'INP GRENOBLE .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Le probleme de la simulation globale devient crucial dans le domaine de la microelectronique ou le point de blocage a la montee en frequence, resulte plus des interconnexions que des performances des transistors eux-memes. Le degre d'integration et les frequences envisagees sont telles que les phenomenes de couplage et de propagation ne peuvent pas etre negliges si bien que les modeles d'elements passifs et actifs etablis separement ne peuvent plus etres cascades pour calculer un circuit complet. Le but de cette these fut de resoudre deux des problemes de la simulation globale. Il s'agit d'abord de l'introduction d'elements de circuit discrets actifs et passifs dans un environnement electromagnetique. Le deuxieme probleme aborde est celui du traitement des milieux ouverts. Les simulateurs bases sur des methodes qui echantillonnent l'espace de solution doivent se limiter a l'etude des volumes finis et de tailles raisonnables par rapport a la longueur d'onde. Le calcul des champs lointains impose l'utilisation des methodes numeriques hybrides. On a ainsi developpe une methode mixte de calcul tlm-ei qui permettent le calcul des diagrammes de rayonnement dans une large bande de frequence. Les etudes globales montrees dans cette these, soulignent les performances auxquels on peut acceder grace aux developpements apportes dans la tlm dans cette these. Les dispositifs analyses sont une interconnexion multicouche avec des plans de masse grillages en presence d'une diode p-n et puis un circuit de commutation realise en technologie microruban en comportant plusieurs elements de circuit localises lineaires et non-lineaires. Les resultats fournis par une simulation peuvent aller maintenant des champs proches dans ces dispositifs et des parametres s, jusqu'aux diagrammes de rayonnement lointain (en dehors du domaine tlm), et jusqu'a l'influence de la temperature sur le couplage parasite, sur le champ diffracte dans ces circuits, ou sur leur rayonnement lointain.


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Informations

  • Détails : 141 p.
  • Annexes : 55 ref.

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