Étude des propriétés physiques et electriques de transistors mos fortement submicroniques

par Bertrand Szelag

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Francis Balestra.

Soutenue en 1999

à l'INP GRENOBLE .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    La reduction des dimensions des transistors mos fait apparaitre des effets nefastes au bon fonctionnement des composants electroniques. L'objectif de ce travail de these est d'etudier les proprietes physiques et electriques des mosfets fortement submicroniques. Les longueurs de grille minimum utilisees au cours de cette etude sont de 75nm. Dans le premier chapitre, nous rappelons les principes de fonctionnement des transistors mos en introduisant les effets lies a la reduction des dimensions. Le second chapitre est entierement dedie aux effets de canaux courts. La tension de seuil est etudiee en fonction de nombreux parametres. Nous presentons une analyse fine de l'effet de canal court inverse a partir de mesures effectuees a basse temperature et en determinons l'origine. Enfin, nous presentons un phenomene original d'augmentation de la transconductance avec la polarisation de substrat. Le troisieme chapitre traite des effets de porteurs chauds. Nous analysons en detail les courants de grille et de substrat et presentons des resultats relatifs au vieillissement des composants. Enfin, le phenomene d'emission de photons est analyse. Le quatrieme chapitre presente une etude comparative des methodes d'extraction de la longueur effective de canal et des resistances serie. Nous proposons certaines ameliorations permettant d'utiliser ces methodes pour les composants fortement submicroniques. Le cinquieme chapitre est un travail de caracterisation electrique de transistors avances realises avec differentes architectures. Nous comparons un dopage conventionnel obtenu par implantation de bore a un dopage retrograde realise par implantation d'indium.


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  • Détails : 1 vol. (161 p.)
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