Etude par imagerie au rayonnement synchrotron des materiaux semi-conducteurs (siporeux et sic)

par SILVIA MILITA

Thèse de doctorat en Physique - Chimie

Sous la direction de José Baruchel.

Soutenue en 1999

à l'Université Joseph Fourier (Grenoble) .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Le travail presente dans cette these porte sur une etude par imagerie au rayonnement synchrotron de deux materiaux semi-conducteurs, le silicium poreux (sip) et le carbure de silicium (sic), dont l'interet technologique s'est considerabilment accru ces dernieres annees, notamment pour la fabrication de capteurs de gaz (sip) et de circuits electroniques de puissance (sic). Les deformations et les defauts engendres dans ces deux materiaux lors de leur croissance (sic) ou de la production de composants (sip et sic) ont ete etudies non seulement pour comprendre leur origine, mais aussi pour diminuer leur importance en modifiant le procedes. Pour atteindre ces objectifs l'imagerie aux rayons x a ete choisie comme technique d'investigation, en exploitant les caracteristiques uniques du rayonnement x disponible sur la ligne de lumiere id19 de l'esrf (grenoble), telles que la grande taille du faisceau, sa coherence transversale, le large spectre et le flux important de photons. Le manuscrit comporte deux aspects complementaires : - un developpement instrumental concernant la realisation d'un diffractometre haute resolution apte a l'utilisation conjointe de la topographie et de la diffraction, ainsi qu'un developpement methodologique dedie a l'analyse de la forme et de la taille des images obtenues par topographie en rayonnement monochromatique dans le cas de deux geometries de montage du cristal. Cette derniere analyse a ete demontree de grande utilite afin de determiner des importants parametres tels que la courbure des echantillons et le desaccord parametrique entre une couche mince epitaxiee sur un substrat et le substrat meme. - l'application de l'imagerie aux rayons x aux deux materiaux etudies. Dans le cas du sip il s'agit de comparer deux procedes technologiques de realisation de fenetres : masques de nitrure de silicium ou bien implantation de phosphore. Les differentes configurations de topographies aux rayons x sont utilisees et permettent de suivre les defauts au cours de differentes etapes du procede. On peut noter, en particulier, la presence d'une distribution de desaccord parametrique dans le sip et l'existence de gradients de contrainte en bord de motif. Dans le cas du sic la croissance de lingots, par la methode de lely modifiee, a ete etudiee par topographie en exploitant les proprietes de haute energie des photons et de flux important qui ont permis de les analyser sans les decouper. De plus, grace aux proprietes de choerence du faisceau x nous avons visualise la presence dans le volume des cristaux de macro et micro-defauts par contraste de phase. Un recent procede technologique, la fabrication de couches minces de carbure de silicium sur isolant (sicoi) a ete etudie dans la derniere partie de ce travail de these.

  • Titre traduit

    Study of semi-conductor materials (porous silicon and silicon carbide) by means of x-ray synchrotron radiation imaging


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 199 P.
  • Annexes : 144 REF.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.