Affinement des parametres mis en jeu dans la croissance de monocristaux d'iodure mercurique ; mise au point d'un nouveau dispositif de croissance

par Laurent Bernard

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Bernard Coupat.

Soutenue en 1999

à Clermont-Ferrand 2 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Ce travail porte sur l'etude des parametres mis en jeu dans la croissance de monocristaux d'iodure mercurique et sur l'elaboration d'un nouveau dispositif de croissance. Nous avons etudie la purete de hgi#2 utilise pour la croissance cristalline en developpant notre propre methode d'analyse des impuretes par fluorescence x. Une etude complete de la phase gazeuse dans les ampoules de croissance a ete menee. La pression de vapeur de hgi#2 a ete mesuree entre 320 k et 450 k par la methode d'effusion de knudsen. L'etude de la nature des principaux gaz residuels et la determination de leurs concentrations relatives ont ete realisees par spectrometrie de masse. Nous avons egalement mis au point un dispositif de mesure des pressions a l'aide de thermistances qui par leur faible encombrement peuvent etre installees dans les ampoules de croissance. Nous avons mis au point un nouveau dispositif de croissance. Ce four presente la particularite de simplifier considerablement le controle et le champ de temperature a l'interieur de l'enceinte de croissance. La validation de ce nouveau dispositif s'est traduite par la preparation d'un monocristal d'iodure mercurique. Pour caracteriser sa perfection cristalline, nous nous sommes orientes vers une methode de diffraction de rayons x a haute energie recemment developpee a l'institut laue-langevin. Le processus de fabrication des detecteurs et l'influence de certains parametres sur leurs performances en detection de rayons x et sont traites. Une approche theorique par simulation (methode de monte-carlo) de la reponse d'un detecteur d'hgi#2 a ete utilisee pour preciser les proprietes de transport (duree des porteurs de charge) des cristaux utilises et pour mettre en lumiere l'importance de divers parametres lies aux dispositifs (effets de surface, distribution du champ electrique a l'interieur des detecteurs).


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  • Détails : 228 P.
  • Annexes : 242 REF.

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