Spectrometrie raman des excitations elementaires et de leur couplage dans les nitrures d'elements iii a large bande interdite

par Francois Demangeot

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Marion Desquand Renucci et de Jean Frandon.

Soutenue en 1998

à Toulouse 3 .

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  • Résumé

    Les progres recents dans la croissance des semiconducteurs nitrures ont relance l'interet de ces materiaux, en vue notamment d'applications opto-electroniques. L'etude de gan et de ses composes (ga, al)n et (ga, in)n, presentee dans ce travail, a ete menee pour l'essentiel par spectrometrie raman. Les deux caracteristiques essentielles de gan et de ses solutions solides, qui les distinguent des semiconducteurs iii-v plus conventionnels, sont l'anisotropie et l'ionicite ; nous les analysons a travers leur influence sur les proprietes electroniques et vibratoires. Nous avons identifie les phonons de centre de zone (


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Informations

  • Détails : 195 P.
  • Annexes : 220 REF.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Paul Sabatier. Bibliothèque universitaire de sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1998TOU30256
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