Conception et elaboration comparee de structures iii-v (111) piezo-electriques epitaxiees par jets moleculaires, sur substrats nominaux et vicinaux, en vue de leur application pour l'optoelectronique

par CHRISTELLE GUERRET PIECOURT

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Chantal Fontaine.

Soutenue en 1998

à Toulouse 3 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Ce memoire est consacre a l'epitaxie par jets moleculaires et aux proprietes des couches minces de semiconducteurs iii-v orientees (111)b. Cette orientation ouvre un nouveau champ d'application a ces materiaux par la presence d'un champ piezoelectrique interne et une valeur elevee de l'epaisseur critique de relaxation des couches contraintes : elle devrait en effet permettre l'obtention de lasers a des longueurs d'onde non accessibles a l'orientation standard (100) : 1-1,3m. Nous sommes parvenus a optimiser les conditions d'homoepitaxie dans une large gamme de temperatures, 520, 600 et 680, sur des substrats de gaas (111)b vicinaux et nominaux, comme nous l'ont confirme des observations a. F. M. . Cette etude comparative nous a permis de preciser les mecanismes de croissance particuliers pour cette orientation. La croissance des alliages (ga,a1)as a ete etudiee a 610 et 680 pour les deux types de substrat. Le probleme de maclage rencontre lors de cette epitaxie a ete resolu. Des structures a puits quantiques contraints ont ete elaborees. Une etude par spectroscopie de photoluminescence, soutenue par des observations de m. E. T. , a confirme que l'epaisseur critique de relaxation plastique est plus grande que pour (100) : pour nos conditions de croissance, des puits, a 30% d'in et 10nm d'epaisseur, sont encore uniformes (2d) et contraints. Le developpement d'un logiciel de calcul des energies de transition dans un puits contraint piezoelectrique a permis une analyse critique de nos resultats experimentaux obtenus en spectroscopie de luminescence et de photocourant, et la mise en evidence de l'effet du champ interne sur les caracteristiques des puits. Enfin, une etude sur les miroirs de bragg, elements indispensables aux composants a microcavite, a ete effectuee. Des miroirs de bragg standard gaas-(ga,a1)as (111)b ont ete elabores, de reflectivite comparable a celle obtenue suivant (100), et la conception de miroirs a large plateau de reflectivite a ete menee.


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 241 P.
  • Annexes : 172 REF.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Paul Sabatier. Bibliothèque universitaire de sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1998TOU30068
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.