Contribution a l'etude de transistors en couches minces en silicium polycristallin : hydrogene et stabilite

par FRANCIS PETINOT

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Denis Mencaraglia.

Soutenue en 1998

à Paris 11 .

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  • Résumé

    Ce travail contribue a la comprehension du fonctionnement des transistors en couches minces (tft) en silicium polycristallin en vue de leur integration dans une matrice active d'ecran lcd. Deux points sont particulierement etudies : l'hydrogenation des tfts et les mecanismes de degradation de ce composant. Apres avoir expose le contexte industriel de l'etude, la technologie de fabrication et la caracterisation electrique du tft en silicium polycristallin sont presentees. L'influence de la densite d'etats de volume dans la couche active polycristalline sur les caracteristiques electriques du transistor y est etudiee. On developpe ensuite l'etape de post-hydrogenation du transistor polycristallin. Apres une optimisation de cette etape par plasma (radiofrequence ou microonde) et des rappels sur l'interaction de l'hydrogene avec les defauts dans le silicium, le mecanisme de diffusion de l'hydrogene dans la structure du transistor polycristallin est developpe en correlant des analyses sims et des caracterisations electriques sur des transistors de geometries et de natures differentes. L'etude de la stabilite electrique des tfts en silicium polycristallin en regime sature, est introduite par une analogie comportementale avec le transistor monocristallin. Apres avoir presente deux modeles relatifs a la degradation dans le transistor monocristallin et a l'effet kink dans les structures mos sur isolant, l'influence de differents parametres du transistor (hydrogenation, longueur de grille, type du transistor, presence de ldd et cristallinite de la couche active) sur sa stabilite electrique y est developpee. Les conditions de polarisation des tfts pour obtenir un fonctionnement stable sont presentees pour les differents types de tft.


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Informations

  • Détails : 235 P.
  • Annexes : 173 REF.

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  • Disponible pour le PEB
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH2014-013682
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