Realisation et analyse des proprietes des couches minces de nitrure de tungstene utilisees comme barriere antidiffusion dans les circuits electroniques

par LOUBNA BOUKHRIS

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de JEAN MARC POITEVIN.

Soutenue en 1998

à Nantes .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Ce travail a pour objet la realisation et la caracterisation des couches minces de nitrure de tungstene par pulverisation diode continue. Au cours de cette etude nous avons examine l'influence des differents parametres de la decharge sur les proprietes des couches deposees. L'emploi de diverses methodes d'analyses, xps, rbs et diffraction de rayons x a permis d'identifier les differents produits obtenus notamment : - leurs structures (les phases presentes, orientations preferentielles, taille des grains et contraintes) - leurs compositions (nature et liaison des especes constituant la couche). L'etude de la conductivite electrique des couches a ete correlee a la composition et a la microstructure des films. Le comportement des films vis a vis du recuit thermique et les performances de ces films en tant que barrieres anti-diffusion entre le substrat (si) et le materiau de metallisation (al ou cu) ont ete egalement etudies. Ce travail a permis de definir les conditions pour obtenir les films les plus performants et permettant un bon recouvrement de marche gravees sur le silicium d'un facteur d'aspect de l'ordre de 0,86.


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Informations

  • Détails : 200 P.
  • Annexes : 140 REF.

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  • Bibliothèque : Université de Nantes. Service commun de la documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 98 NANT 2016
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  • Cote : 98 NANT 2016
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