Evaluation de la probabilité des aléas logiques induits par les neutrons atmosphériques dans le silicium des SRAM

• Auteur / Autrice : Christian Vial
• Direction : Jean-Marie Palau
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Électronique, optronique et systèmes
• Date : Soutenance en 1998
• Etablissement(s) : Montpellier 2

Mots clés

Mots clés contrôlés

Variables aléatoires

Pannes

Réactions nucléaires

Neutrons

Rayonnements ionisants

Composants électroniques

Résumé

L'utilisation des memoires sram dans les applications avioniques pose le probleme de leur sensibilite aux radiations. Parmi l'ensemble des rayonnements presents dans l'environnement aerospatial, les particules non ionisantes, comme les neutrons, sont susceptibles de provoquer des reactions nucleaires dans les composants micro-electronique et d'induire des defaillances de type single event upset (seu). L'evaluation des risques lies aux neutrons atmospheriques constitue l'objet principal de ce travail. Les mecanismes d'interaction neutron matiere, la caracterisation des aleas logiques dans les memoires et la determination des particules ionisantes produites par l'environnement neutronique ont permis d'etablir une base de donnees universelle. Cette base contient toutes les courbes de probabilite relatives a la gamme d'energie correspondant aux neutrons atmospheriques, de 1 mev a 1 gev. Les moyens utilises pour sa mise en uvre, l'energie des neutrons incidents, ainsi que son utilisation sont presentes dans ce memoire.