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Elaboration d'hétérostructures à base d'antimoniures : Etude et optimisation de la formation des interfaces InAs/GaSb et GaSb/InAs
par Abbès Tahraoui
Thèse de doctorat en Électronique, optronique et systèmes
Sous la direction de Jacques Bonnet.
Soutenue en 1998
à Montpellier 2 .
- Optoélectronique -- Thèses et écrits académiques
- Composés semiconducteurs -- interfaces -- thèses
- Composés semiconducteurs -- Surfaces -- Propriétés optiques -- Thèses et écrits académiques
- Électrons de haute énergie -- Diffraction -- Thèses et écrits académiques
- Auger, Effet -- Thèses et écrits académiques
- Spectroscopie atomique -- Thèses et écrits académiques
mots clés
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Titre traduit
Elaboration of heterostructures based on antimonide by mbe. Study and optimisation the formation of inas/gasb and gasb/inas interfaces
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