Contribution au développement de détecteurs photovoltai͏̈ques à base de séléniure de plomb par EJM

par Corinne Gautier

Thèse de doctorat en Milieux denses et matériaux

Sous la direction de Salam Charar.

Soutenue en 1998

à Montpellier 2 .


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  • Résumé

    La premiere partie de ce manuscrit correspond a la realisation de l'heterostructure p-pbse / caf#2 // si (111) par epitaxie par jets moleculaires. Quelques rappels concernant la technique d'epitaxie, les caracterisations associees ainsi que les proprietes des materiaux etudies sont tout d'abord presentes. Ensuite, les differentes analyses montrent que les premieres etapes sont correctement maitrisees. Les proprietes structurales de la couche de pbse ont pu etre optimisees mais le controle des caracteristiques electriques, en dopant le materiau de type p par ecart a la stchiometrie, presente des difficultes. De plus, les analyses de surface montrent que la couche de pbse s'oxyde lorsqu'elle est exposee a l'air. La seconde partie concerne la passivation de surface des couches de pbse. Tout d'abord, l'etude bibliographique met en evidence les avantages des methodes de sulfuration par voies chimique et electrochimique. L'application de ces techniques sur les couches de pbse est alors etudiee et montre la substitution, a la surface, du selenium par le soufre. De plus, une desoxydation prealable est necessaire, qui est facilement realisee par voie chimique. Un effort est porte sur la comprehension des phenomenes observes a la surface de la couche de pbse.

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Informations

  • Détails : 165 f
  • Annexes : Notes bibliogr

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  • Bibliothèque : Bibliothèque interuniversitaire. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 98.MON-115
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