Etude de la croissance épitaxiale par jets moléculaires des lamellaires (GaSe, InSe) sur silicium et de ZnSe sur lamellaire

par Khalid Amimer

Thèse de doctorat en Milieux denses et matériaux

Sous la direction de Claude Sébenne.

Soutenue en 1998

à Montpellier 2 .


  • Résumé

    Ce memoire est consacre a la croissance epitaxiale par epitaxie par jets moleculaires (mbe) de couches lamellaires de gase(0001) et inse(0001) sur substrats silicium oriente (111) ainsi que znse(111) sur une couche tampon de lamellaire (gase ou inse) ou directement sur silicium. Les caracterisations in-situ ont ete effectuees par rheed, xps, auxquelles sont associees principalement des mesures ex-situ de diffraction des rayons x, spectroscopie raman, microscopie electronique a transmission et la photoluminescence. Nous avons determine les conditions de croissance optimales de lamellaire (gase, inse) sur silicium qui permettent d'avoir une croissance en mono-domaine de taille de 1000a. La croissance epitaxiale des lamellaires gase et inse a ete realisee sur substrat si(111) avec une structure initiale, passivee h-11, passivee ga-3x3r30 et reconstruite 77. La presence des liaisons pendantes en surface du substrat de silicium n'empeche pas la croissance des lamellaires de structure 2d. L'analyse des intensites des niveaux de cur associes au depot et au substrat par xps montre que la croissance se fait selon un mode bidimensionnel feuillet par feuillet avec une interface abrupte et sans reactivite chimique apparente entre si et se. L'etude des interfaces des systemes gase/si et inse/si en utilisant le rheed dynamique, in-situ, a montre que la croissance de gase (ou inse) debute par un demi-feuillet contraint sur silicium ce qui donne une croissance pseudomorphe de ce dernier. Par consequence, il ne s'agit pas d'une epitaxie quasi van der waals (eqvdw). La croissance se poursuit ensuite par une croissance de type van der waals avec des feuillets completement relaxes lateralement a leur propre parametre de maille. Nous avons aborde dans la deuxieme partie de ce travail, la croissance du materiau tridimensionnel znse sur une couche epitaxiee du materiau anisotrope du lamellaire (gase, inse) ou directement sur silicium. Le film de znse croit en epitaxie avec la couche tampon de lamellaire bien que la structure des deux materiaux est differente. L'existence de relation d'epitaxie entre le lamellaire et le film znse des les premiere monocouches montre qu'il existe une structure d'interface favorable a l'accolement d'un materiau 3d sur un materiau 2d.


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : [4], 212 p
  • Annexes : Notes bibliogr

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Bibliothèque interuniversitaire. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 98.MON-63
  • Bibliothèque : Bibliothèque interuniversitaire. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.