Etude théorique et optimisation de transistors à effet de champ de la filière InP et de la filière GaN

par François Dessenne

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Renaud Fauquembergue.

Soutenue en 1998

à Lille 1 .


  • Résumé

    Notre etude contribue a l'analyse du fonctionnement physique des transistors a effet de champ par la methode de monte carlo. Notre but est de presenter des ameliorations aux concepteurs dans les domaines de l'amplification faible bruit en gamme millimetrique d'une part et de l'amplification de puissance d'autre part. Dans le premier chapitre, apres avoir passe en revue les differentes possibilites de transistors a effet de champ capables de satisfaire a notre cahier des charges, nous estimons leurs potentialites et leurs limitations respectives. Les chapitres ii et iii nous permettent de decrire notre programme de simulation du transport de charges dans les semi-conducteurs massifs et dans les dispositifs destines a l'hyperfrequence. Pour la filiere inp, le simulateur a ete adapte a la modelisation de hemt (high electron mobility transistor) a grille largement submicronique et presentant des discontinuites de bande elevees. Dans le quatrieme chapitre, nous menons l'examen des performances de hemt al0. 48in0. 52as/ga0. 47in0. 53as/inp destines a l'amplification faible bruit a 60 et 94 ghz, tant sur le plan theorique que sur le plan experimental. Il apparait clairement que la presence d'ionisation par choc dans le canal de ces transistors degrade de maniere importante leurs caracteristiques hyperfrequences. Afin d'optimiser ces composants, plusieurs solutions sont alors proposees avec un avantage pour l'utilisation d'un canal composite gainas/inp. La realisation de lmhemt avec ce type de canal confirme nos predictions en offrant une elevation du gain intrinseque en tension de plus de 60% dans le cas d'un canal avec une couche d'inp dope, par rapport a la structure conventionnelle.

  • Titre traduit

    Theoretical study and optimisation of AlInAs-GaInAs-InP HEMTs and GaN-based field effect transistors


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Informations

  • Détails : 1 vol. (278 f.)
  • Annexes : Bibliogr. en fin de chapitre

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université des sciences et technologies de Lille (Villeneuve d'Ascq, Nord). Service commun de la documentation.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 50376-1998-19
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