Epitaxie silicium avancee en milieu industriel

par PATRICK JERIER

Thèse de doctorat en Matériaux, technologies et composants pour l'électronique

Sous la direction de Jean-Claude Portal.

Soutenue en 1998

à Toulouse, INSA .

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  • Résumé

    L'epitaxie silicium en phase vapeur est une technique de depot de plus en plus utilisee en microelectronique car elle permet de realiser des structures complexes avec un bon controle de l'epaisseur et de la composition des differentes couches. L'interet de cette these reside dans l'acquisition d'une expertise sur l'epitaxie dans le milieu industriel. Elle comprend tout d'abord l'etude de l'epitaxie a haute temperature a partir du dcs utilisee dans la realisation des couches enterrees. L'objectif principal de cette partie reside dans la reduction des auto-dopages bore et arsenic associes a ces couches, en vue d'ameliorer les performances des transistors bipolaires dans la technologie bicmos. Ainsi, l'etude des mecanismes mis en jeu a permis d'une part d'expliquer l'origine des differences observees pour ces deux auto-dopages et de mettre en place des solutions originales (brevets) permettant de reduire chacun d'eux sans degradation de l'autre. Nous nous sommes ensuite tournee vers le developpement de l'epitaxie avancee a basse temperature. Celle ci comprend d'une part l'epitaxie selective avec comme principale application la fabrication des drains/sources sureleves des transistors cmos. Cette partie presente une approche de la croissance et de la selectivite du systeme dcs/hcl/h#2 sur des plaques comportants des motifs d'oxyde. Cette etude comprend d'autre part le developpement de l'hetero-epitaxie si#1##xge#x/si pour la realisation des bases epitaxiees des transistors bipolaires a hetero-jonctions (tbh). Les caracteristiques de la croissance de films contraints sige sur un substrat de silicium sont presentees ainsi que les resultats electriques obtenus sur le premier lot passe a crolles.


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Informations

  • Détails : 194 P.
  • Annexes : 70 REF.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1998/489/JER
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