Jonctions ultra-minces p#+/n : modelisation, realisation et caracterisation

par DANIEL ALQUIER

Thèse de doctorat en Conception des circuits micrélectroniques et microsystèmes

Sous la direction de AUGUSTIN MARTINIEZ.

Soutenue en 1998

à Toulouse, INSA .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Notre travail est une contribution a l'etude des jonctions ultra-minces p#+/n (xj<100 nm) requises en technologie ulsi. Afin de realiser ces jonctions, plusieurs approches sont couramment envisagees. Nous les presentons au cours du chapitre 1. Nous justifions le choix de l'implantation de bore basse energie dans des substrats silicium preamorphises, suivi d'une etape de recuit rapide. A la suite d'un tel procede apparaissent, a l'arriere de l'ancienne interface amorphe/cristal (a/c), des defauts dits end of range. L'objet du deuxieme chapitre est l'etude de ces defauts connus pour affecter tant les proprietes structurales qu'electriques des jonctions. Elle nous a permis de mieux apprehender la notion importante de sursaturation dont decoule la diffusion anormale des dopants en presence de defauts comme nous le montrons au chapitre 3. Nous y etudions egalement l'influence de la position du profil de bore par rapport a la couche amorphe initiale ainsi que de la proximite de la surface sur la diffusion du bore. Puis, nous etudions, grace aux experiences des profils plats, l'agglomeration de bore au niveau de l'ancienne interface a/c. Enfin, nous donnons, en utilisant les resultats electriques en liaison avec ceux de la diffusion, les parametres optimaux a la realisation de jonctions p#+/n par implantation ionique dans des substrats preamorphises. Nous montrons que la preamorphisation est responsable de l'apparition de deux pieges discrets. L'implantation de l'impurete ainsi que le recuit rapide induisent la presence d'un continuum. Ces defauts electriques peuvent entrainer une degradation tant du facteur d'idealite que du bruit de fond du composant.


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 147 P.
  • Annexes : 82 REF.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Moyens Informatiques et Multimédia. Information.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : B-ALQ
  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1998/460/ALQ
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.