Etude et fabrication de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe (TBH) intégrés dans une filière BiCMOS industrielle 0. 5µ

par Elisabeth de Berranger-Marinet

Thèse de doctorat en Electronique

Sous la direction de Mireille Mouis.

Soutenue en 1998

à Lyon, INSA .


  • Résumé

    Ce travail concerne les Transistors Bipolaires à Hétérojonctions (TBH) Si/SiGe. Nous présentons comment des TBH ont été intégrés dans une filière Bi CM OS du Centre Commun CNET -SGS Thomson. Au préalable, afin de définir l'architecture la mieux adaptée au contexte et de tirer le meilleur parti possible de l'utilisation de SiGe, les différents paramètres (profil de germanium, position du bore par rapport à la zone SiGe. . . ) influençant le fonctionnement des TBH ont été étudiés, en particulier grâce à la mise en place d'un environnement de simulation adapté aux hétéro structures. Les contraintes technologiques et leurs conséquences sur les dispositifs ont été prises en compte. Les premiers résultats ont permis de mettre en évidence un certain nombre de problèmes technologiques que nous avons résolus. La caractérisation électrique a montré une nette amélioration des performances et a précisé les atouts réels de SiGe dans un contexte BiCMOS pourtant initialement jugé peu favorable. Nous avons aussi vérifié que les transistors MOS n'étaient pas perturbés. Ce travail démontre donc la faisabilité de l'intégration des TBH dans une filière BiCMOS et offre des perspectives pour l'évolution des structures.

  • Titre traduit

    = Fabrication and investigation of Si/SiGe Hetero junction Bipolar Transistors (HBTs) integrated in a 0. 5 micron industrial BiCMOS technology


  • Résumé

    This work deals with Si/SiGe Hetero junction Bipolar Transistors (SiGe HBTs). We present our method for integrating HBTs into a Bi CM OS process from the CNET -SGS Thomson Joint Center. Firstly, the main parameters (Ge profile, Boron position with respect to SiGe layer) acting on HBT operation were identified in order to adapt device architecture to the technological context and take benefit from the SiGe base (this especially implied the set up of a simulation environment adapted to hetero structures). Technological constraints and their consequences were taken into account. The first results highlighted a few technological problems which were solved in the following batches. Electrical characterisation showed a clear improvement of the performance and pointed out the decisive advantages of SiGe in a BiCMOS technology. We also verified that MOS transistors were not perturbed. This work proves the feasibility of HBT integration into a BiCMOS process and presents future prospects for the evolution of the structure.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 1 vol. (209 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées (Villeurbanne, Rhône). Service Commun de la Documentation Doc'INSA.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : C.83(2152)
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.