Etude et mise au point de transistors bipolaires npn a structure double-polysilicium integrables dans une technologie bicmos 0,35 m

par LAURENCE AILLOUD

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Francis Balestra.

Soutenue en 1998

à l'INP GRENOBLE .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    L'objet de notre travail etait de developper et d'etudier une architecture de transistors bipolaires double-polysilicium integrables dans une technologie bicmos 0,35 m. La fabrication des transistors bipolaires double-polysilicium sur plaquette de 200 mm a ete realisee pour la premiere fois en france lors de notre etude, au sein de l'equipe mixte st/cnet/leti. Un important travail de mise au point technologique, couple a une optimisation des performances electriques a ete effectue. L'objectif est de fabriquer des transistor bipolaires performants (le cahier des charges precise une frequence de transition atteignant 25 ghz) tout en restant compatible avec une integration dans une filiere bicmos. Ce travail se situe en amont de l'industrialisation. Differentes etudes ont ete menees : tout d'abord, la mise au point de la structure proprement dite car la topologie des dispositifs est un element cle du bon fonctionnement des transistors. Ensuite, une optimisation des dispositifs a ete realisee dans le but d'ameliorer les resultats electriques : les trois regions du transistor (emetteur, base et collecteur) ont ete etudiees. Deux phenomenes physiques, que sont les courants de fuite et le vieillissement des transistors, ont ete egalement analyses. Enfin, une comparaison des performances de deux architectures, auto-alignee et quasi-auto-alignee, a ete proposee.


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Informations

  • Détails : 155 P.
  • Annexes : 73 REF.

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