Modelisation theorique et consolidation experimentale des interconnexions en technologies silicium avancees

par CORINNE CREGUT

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Jean Chilo.

Soutenue en 1998

à Grenoble 1 .

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  • Résumé

    Depuis les debuts de la micro-electronique, nous assistons a une formidable augmentation des densites d'integration et de la vitesse de fonctionnement des circuits. Cependant, cette course a l'integration se heurte aujourd'hui au probleme des interconnexions : elles sont les principales responsables du retard et de la degradation de l'integrite du signal dans les circuits. Les interconnexions sont devenues un des points bloquant a l'amelioration des performances des circuits et leur modelisation, en vue de les optimiser, est necessaire. Dans ce but, nous avons tout d'abord evalue les principaux outils de simulation des interconnexions disponibles sur le marche. Nous avons ensuite mene une analyse electromagnetique du probleme integrant les specificites des technologies silicium avancees (0. 18m et en deca). Plus particulierement, nous avons analyse les aspects inductifs et precise les contraintes de leur prise en compte dans la modelisation des interconnexions a partir de ces considerations theoriques nous avons defini et realise des motifs de test specifiques representatifs de configurations circuits. La caracterisation et la modelisation de ces dispositifs, nous ont permis de valider nos hypotheses. Nous avons ainsi developpe une methodologie de modelisation et de caracterisation des phenomenes parasites. Nous avons de plus propose et mis en place une procedure d'extraction directe des grandeurs electriques de lignes dans un environnement comportant plusieurs niveaux metalliques. Par ce travail, nous avons apporte des elements de comprehension et de reponse au probleme complexe des interconnexions des circuits integres.


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Informations

  • Détails : 158 P.
  • Annexes : 99 REF.

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