Spectroscopie infrarouge a l'interface electrochimique : des semi-conducteurs vers les metaux

par Fouad Maroun

Thèse de doctorat en Chimie

Sous la direction de Jean-Noël Chazalviel.

Soutenue en 1998

à l'EP .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Ce travail vise a comprendre les processus a l'interface electrochimique en utilisant la spectroscopie infrarouge en geometrie atr. Le voltamperogramme de l'interface ge / 1m hclo#4 presente des pics anodiques et cathodiques. La spectroscopie ir in-situ permet de les correler a l'hydrogenation et a l'hydroxylation de la surface, et de les associer a l'adsorption de l'hydrogene sur differents sites : monohydrure (terrasse et marche) et dihydrure. Les surfaces (111) et (100) s'averent rugueuses a l'echelle atomique, ce qui entraine une augmentation de la sensibilite ir et la presence de sites distincts de ceux existant sur des surfaces ideales. Enfin, l'absorption ir des porteurs libres et des ions en solution permet de montrer que le glissement de bandes est du essentiellement a des charges de surface et non seulement a un effet dipolaire. Dans le but de realiser le meme type d'etude sur les metaux, des depots de metaux (ni et ag) sur semi-conducteurs (si et ge) ont ete realises, et leurs proprietes optiques etudiees. L'utilisation de differents modeles de milieu effectif (bruggeman, bergman) et l'etude ex-situ des depots par meb permettent de deduire le mode de croissance des depots, et d'etudier l'influence du substrat et de l'electrolyte support. En particulier, le depot d'ag sur si obtenu en presence de complexant presente des effets d'augmentation de l'absorption ir de l'ordre de 100 (effet seira).


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Informations

  • Détails : 100 P.
  • Annexes : 97 REF.

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