Conditions optimales de fonctionnement pour la fiabilité des transistors à effet de champ micro-ondes de puissance

par Jean-Luc Muraro

Thèse de doctorat en Electronique - composants actifs Micro-ondes

Sous la direction de Jacques Graffeuil.

Soutenue en 1997

à Toulouse 3 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Ce memoire de these traite de la fiabilite des circuits integres monolithiques en arseniure de gallium pour l'amplification de puissance micro-ondes a bord des satellites de telecommunications et d'observation. L'objectif de ce travail est de determiner des regles de reduction des contraintes (en termes de temperature, courant, tension, puissance) appliquees aux circuits micro-ondes. La premiere partie enonce les notions fondamentales de la fiabilite des composants en arseniure de gallium suivis d'une synthese des principaux mecanismes de defaillances des transistors a effet de champ en arseniure de gallium. Le second chapitre propose une methodologie permettant l'evaluation de la fiabilite des circuits integres a semi conducteur basee sur la definition des vehicules de test et sur la mise en uvre d'essais de fiabilite appropries. A partir des resultats obtenus lors des essais de stockage a haute temperature et de vieillissement sous contraintes electriques statiques, la fiabilite de la technologie est evaluee. Cette partie fait l'objet du troisieme chapitre. Nous validons dans le quatrieme chapitre l'application consideree (l'amplification de puissance en bande x) au travers d'essais de vieillissement sous contraintes electriques dynamiques. Le mecanisme de degradation active lors du fonctionnement du transistor en amplification de puissance est du a la multiplication des porteurs par ionisation par impact. A partir de cette analyse, une methodologie alliant la simulation electrique non-lineaire avec des essais de vieillissement accelere de courte duree est degagee. Cette methodologie permet d'evaluer la fiabilite des transistors de puissance en arseniure de gallium des le stade de la conception des equipements

  • Titre traduit

    Optimized operation conditions for power microwave field effect transistor reliability


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  • Détails : 194 p

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  • Cote : 1997TOU30053

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