Modele electro-thermique unidimensionnel du transistor bipolaire a grille isolee (igbt) pour la simulation de circuits de puissance

par ADEL AMIMI

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Rachid Bouchakour.

Soutenue en 1997

à Rouen .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Dans le domaine de l'electronique de puissance, ou l'environnement et le mode de fonctionnement du composant jouent un role primordial, nous constatons que les aspects thermiques doivent etre evalues de la meme maniere que les aspects strictement electriques. Cela suppose entre autres que la temperature interne des composants doit pouvoir evoluer comme toutes les grandeurs electriques. Dans ce contexte, nous avons developpe un modele analytique du transistor bipolaire a grille isolee (igbt) prenant en compte les interactions electro-thermiques dans le composant, en associant au modele electrique du composant un reseau thermique. Pour cela, deux solutions de complexite differentes ont ete envisagees pour l'elaboration du modele thermique. La premiere approche (cellulaire) est basee sur l'analogie electrique-thermique. En effet, la propagation du flux de chaleur dans le composant est modelisee par un reseau cellulaire rth(i) - cth(i) dont les caracteristiques sont determinees a partir de l'impedance thermique transitoire zth du composant. La seconde approche (dite mixte), fondee sur la resolution a une dimension de l'equation de diffusion de la chaleur, utilise un calcul plus precis de la temperature dans la couche de silicium, tout en conservant une representation a base de cellules rth-cth pour l'ensemble du boitier et de l'environnement. Le modele electro-thermique ainsi developpe est implante en langage mast dans le simulateur de circuits saber.


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Informations

  • Détails : 151 P.
  • Annexes : 80 REF.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université de Rouen. Service commun de la documentation. Section sciences site Madrillet.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 97/ROUE/S033
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