Mesure de la durée de vie des porteurs et de la vitesse de recombinaison à l'interface arrière métal-semiconducteur dans des photopiles en silicium

par Bachar Affour

Thèse de doctorat en Sciences physiques

Sous la direction de Pierre Mialhe.

Soutenue en 1997

à Perpignan .


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  • Résumé

    L'amelioration du rendement des photopiles industrielles necessite la maitrise des procedes technologiques conduisant a leur realisation. L'evaluation globale de l'impact de ces procedes sur le dispositif final passe par la mesure de la duree de vie des porteurs minoritaires dans la base et de leur vitesse de recombinaison sur la surface arriere. Nous avons developpe une nouvelle methode experimentale qui permet la mesure simultanee de ces deux grandeurs dans les conditions reelles de fonctionnement et pour n'importe quel niveau d'injection. Elle consiste en l'exploitation de la courbe de tension aux bornes de la photopile enregistree durant le regime transitoire resultant du passage de la photopile d'une configuration de charge proche du circuit ouvert a la configuration du circuit ouvert proprement dite. Ce passage etant effectue sous illumination permanente provenant d'un simulateur du spectre solaire. La mise a l'epreuve de cette methode a travers plusieurs structures etalons (photopiles irradiees par un faisceau de protons, contacts arrieres ohmiques et differents niveaux d'injection) a demontre sa capacite pratique a evaluer la qualite d'une fabrication et a determiner l'origine des defauts eventuels. L'automatisation complete de la mesure permet son insertion dans n'importe quelle chaine de fabrication.

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Informations

  • Détails : 110p

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  • Bibliothèque : Université Perpignan Via Domitia. Service commun de la documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH 1997 AFF
  • Bibliothèque : Université Perpignan Via Domitia. Service commun de la documentation. Section Sciences.
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