Modules optoelectroniques large bande a base de transistors phemt gaas pour le codage d'informations a tres haut debit par modulation externe

par Dominique Demange

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Maurice Pyee.

Soutenue en 1997

à Paris 7 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Les systemes de communication par fibre optique connaissent, depuis quelques annees, un developpement intensif. Leur rapide montee en debit necessite de realiser des composants et des dispositifs electroniques et optoelectroniques de plus en plus performants. Parmi eux, le module d'emission est particulierement critique. La presente etude porte sur des modules de commande de modulateur a electro-absorption utilisant des circuits a base de transistors phemt gaas pour des transmissions a 10 et 20 gb/s. Pour cela, plusieurs dispositifs ont ete concus, realises et caracterises : pour les transmissions nrz, nous avons fait la comparaison theorique et experimentale a 20 gb/s entre deux dispositifs de commande du modulateur : un module de commande electronique externe, et un module realisant l'hybridation opto-electronique : dans le cas de la commande externe, le principe de l'amplificateur distribue permet d'atteindre le produit gain-bande recherche. Cependant, pour un gain du module suffisant, il est necessaire d'adapter ce principe a la mise en cascade de plusieurs circuits. Dans le cas du dispositif hybride, nous avons demontre l'interet d'un etage de commande totem-pole pour une commutation rapide (20 ps) du modulateur. Pour les transmissions par solitons, nous avons realise une source binaire d'impulsions optiques fines avec un circuit de commande specifique pour le modulateur. Ce circuit realise a la fois la sculpture et le codage des impulsions. En comparaison avec le dispositif procedant par l'integration optique de deux modulateurs, celui-ci est plus simple et la finesse des impulsions est superieure ou egale jusqu'a 10 gb/s. A 10 gb/s, les impulsions obtenues ont une largeur de 20 ps, ce qui les rend aptes aux transmissions par solitons.

  • Titre traduit

    Large bandwidth modules, based on phemt gaas transistors, for coding of very high bit rate information by external modulation


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  • Détails : 328 P.
  • Annexes : 158 REF.

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