Epitaxie selective en phase vapeur aux organometalliques pour integration monolithique de composants optoelectroniques

par LAETITIA SILVESTRE

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Bernard Étienne.

Soutenue en 1997

à Paris 6 .

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  • Résumé

    L'objet de cette these est l'etude de la croissance selective d'alliages semiconducteurs iii-v par la methode d'epitaxie en phase vapeur aux organometalliques (epvom) et l'application de cette technique a l'integration monolithique. Ce type d'integration, qui associe directement sur un meme substrat les differents composants d'un circuit, doit permettre la realisation de systemes alliant hauts debits et bas-cout, caracteristiques indispensables pour l'extension des reseaux de telecommunications a fibres optiques. La croissance selective consiste a realiser l'epitaxie sur un substrat partiellement masque par un materiau dielectrique. Les especes reactives, ne pouvant se deposer sur les masques, s'incorporent au cristal a leur proximite, induisant ainsi une augmentation locale d'epaisseur, mais aussi une variation de composition par rapport aux regions situees loin des masques. Ces variations d'epaisseur et de composition (enrichissement en indium et en arsenic dans le cas d'alliages ingaas(p)/inp), qui sont fonction de la geometrie de masquage, entrainent une variation spatiale de longueur d'onde. Le controle du decalage en longueur d'onde entre les regions masquees et non masquees lors de la croissance de structures a puits quantiques permet d'integrer directement (c. A. D. : en une seule etape d'epitaxie) differents composants optoelectroniques. La technique d'epitaxie selective est appliquee a l'integration de plusieurs composants : laser dbr (distributed bragg reflectors) a 1. 55 m, laser dbr-modulateur electroabsorbant, laser a 1. 3 m avec adaptateur de mode et laser fabry-perot a 1. 55 m. Les performances de fonctionnement de ces realisations attestent de l'efficacite de l'epitaxie selective par epvom pour l'integration monolithique.


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Informations

  • Détails : 204 P.
  • Annexes : 133 REF.

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  • Bibliothèque : Université Pierre et Marie Curie. Bibliothèque Universitaire Pierre et Marie Curie. Section Biologie-Chimie-Physique Recherche.
  • Disponible pour le PEB
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : PMC RT P6 1997
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