Croissance par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques de structures a cavite verticales pour telecommunications optiques

par JEAN-PHILIPPE DEBRAY

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de PIERRE GOUZERH.

Soutenue en 1997

à Paris 6 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Ce travail de these est une contribution a l'etude et au developpement des cavites verticales aux longueurs d'ondes des telecommunications optiques (=1,55 m). Le principal obstacle technique a la realisation de telles structures est l'obtention de reflecteurs de bragg possedant les qualites optique (et electrique pour les lasers a cavite verticale emettant par la surface pompes electriquement ou vcsel) requises. On recherchera une reflectivite proche de l'unite et une resistance electrique, pour les vcsel, la plus faible possible. Or le meilleur systeme de materiau permettant d'obtenir de tels miroirs de bragg a l'accord de maille sur inp n'est pas encore determine. Nous avons demontre dans ce travail que non seulement la methode d'epitaxie utilisee, la movpe, a atteint la maturite suffisante pour l'epitaxie de telles structures (ce sont des structures epaisses, typiquement superieures a 10 m), mais aussi nous estimons que le systeme d'alliage ingaalas(#g#a#p=1,43 m)/inalas a l'accord de maille sur inp que nous avons choisi et etudie est le meilleur candidat. Nous sommes parvenus en effet a epitaxier en une seule etape (environ 8 heures) deux dispositifs tout optiques dans le systeme ingaalas(#g#a#p=1,43 m)/inalas accorde sur inp : un bistable possedant un seuil de bistabilite record, et un vcsel pompe optiquement. Elargissant notre champ d'investigation nous sommes passes a l'etude des vcsel pompes electriquement. Pour cela deux approches ont ete menees : la voie de la structure monolithique accordee entierement sur inp (systeme ingaalas) et la voie du collage heteroepitaxial. Il nous a donc ete necessaire de mettre au point le dopage de ces materiaux, au carbone et au zinc pour le type p, et au silicium pour le type n. A ce jour, l'etude materiau de ces vcsel a ete achevee, et au moment ou j'ecris ces mots les tests lasers sont en cours de realisation. L'ensemble de cette etude a permis de demontrer qu'il est desormais possible d'epitaxier des structures a cavite verticales monolithiques a =1,55 m par movpe et que le systeme inalas/ingaalas(=1,43 m) est un excellent candidat. Les resultats obtenus dans ce travail constituent a notre connaissance une premiere dans le domaine et ouvrent la voie a un large champ d'investigation.


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Informations

  • Détails : 212 P.
  • Annexes : 88 REF.

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  • Bibliothèque : Université Pierre et Marie Curie. Bibliothèque Universitaire Pierre et Marie Curie. Section Biologie-Chimie-Physique Recherche.
  • Disponible pour le PEB
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : PMC RT P6 1997
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