Realisation et etude d'oxyde de silicium pour le remplissage de tranchees peu profondes pour l'isolement lateral (sti)

par Frédéric Gaillard

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Pascal Brault.

Soutenue en 1997

à Orléans .

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  • Résumé

    Pour les technologies micro-electronique cmos inferieures ou egales a 0,25 m, l'isolement par tranchees peu profondes ou sti (pour shallow trench isolation) devient necessaire pour poursuivre l'integration des circuits integres. Ce travail est consacre au remplissage des tranchees peu profondes avec de l'oxyde depose par cvd. Les caracteristiques physico-chimiques et electriques de l'oxyde lpcvd sont etudiees avant et apres recuit. Deux types de recuits ont ete testes : les recuits par plasma et les recuits dans un four a haute temperature. Pour obtenir un film ayant des caracteristiques physiques proches de celles de la silice, le film lpcvd doit subir un recuit sous plasma suivie d'un recuit en four a 850c sous atmosphere oxydante ou a 1150c sous atmosphere neutre. Une correlation entre les mesures physiques (ftir) et electriques (c(v)) a ete obtenue. L'integration de cet oxyde lpcvd dans une filiere cmos 0,25 m en developpement a permis de demontrer la faisabilite de l'isolement par tranchees peu profondes. Les proprietes de cet oxyde lpcvd sont comparees a d'autres oxydes pouvant etre utilises pour l'application sti : oxyde sacvd et oxyde hdp-cvd.


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Informations

  • Détails : 196 P.
  • Annexes : 19 REF.

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