Contribution a la mise au point de procedes lithographiques 0,35 m : methodes et caracterisations

par SANDRINE ANDRE

Thèse de doctorat en Matériaux, technologies et composants pour l'électronique

Sous la direction de Jean-Claude Portal.

Soutenue en 1997

à Toulouse, INSA .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Le souci permanent d'ameliorer les performances des circuits integres impose une miniaturisation de plus en plus poussee des differents elements qui les composent. La lithographie, technique utilisee pour definir les motifs elementaires sur le substrat de silicium, est une des techniques motrices de cette evolution. Elle permet en effet d'augmenter le niveau d'integration en reduisant les dimensions caracteristiques des dispositifs. La technique la plus utilisee actuellement pour la production de masse de circuits integres submicroniques est la lithographie optique par projection. La longueur d'onde utilisee par les photorepeteurs est de 365 nm (i-line en anglais). Elle presente de serieuses limitations pour les technologies cmos 0,35 m. L'objectif de cette etude est de mettre en evidence les phenomenes physiques limitant le transfert lithographique. Nous evaluerons alors plusieurs techniques innovantes de formation de l'image afin de repousser les limites de performances de la lithographie i-line en-dessous de sa longueur d'onde d'insolation. L'utilisation d'une couche antireflet deposee sous le film de resine en combinaison avec un mode d'eclairement avance optimise nous permettront d'ameliorer le controle des dimensions des motifs transferes et de mettre ainsi au point des procedes lithographiques robustes et performants a 0,35 m. L'etape lithographique devant pour cela etre caracterisee finement, ce travail conduit a developper de nouvelles methodologies d'analyse permettant de mesurer et de predire les performances lithographiques. Cette these fournit une demarche type de caracterisation de technologies avancees. Une telle approche devrait s'averer strategique dans un futur proche.


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Informations

  • Détails : 173 P.
  • Annexes : 152 REF.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1997/432/AND
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