Caractérisation électro-optique du Tellure de Cadmium dopé aux ions de transition pour application photo réfractive

par Aziz Zerrai

Thèse de doctorat en Electronique

Sous la direction de Georges Brémond.


  • Résumé

    L'effet photoréfractif se trouve à la base des composants futurs de traitement optique du signal. La compréhension et la modélisation précise de cet effet photo réfractif passe par la connaissance des caractéristiques thermiques et optiques des niveaux profonds moteur de cet effet. C'est dans ce contexte qu'une spectroscopie complète des niveaux profonds par analyse des transitoires de courant photo induit (Photo Induced Current Transient Spectroscopy) et par analyse des transitoires de capacité (Deep Level Transient Spectroscopy) et de photo capacité (Deep Level Optical Spectroscopy) est réalisée sur des cristaux CdTe et CdZnTe dopés au vanadium ou au titane. Nous avons détecté deux niveaux principaux à électrons, le premier à 0. 95 eV lié au dopage vanadium et le second à 0. 78 eV associable a un complexe incluant le vanadium. Ces deux niveaux permettent de comprendre et de modéliser les différents comportements photo réfractifs des cristaux CdTe et CdZnTe dopés au vanadium. Dans les cristaux CdZnTe dopés au titane un niveau principal à électrons est détecté à 0. 83 eV. En se basant sur la bande de résonance observée par la technique Deep Level Optical Spectroscopy relative à la transition interne de l'état 3 A2(F) vers l'état 3T1(P) du Te+ dans le CdZnTe dopés titane, ce niveau est attribué pour la première fois au niveau simple donneur du titane en site cadmium.

  • Titre traduit

    = Electro-optical characterization of Cadmium Telluride doped with transition ion for photorefractive application


  • Résumé

    The photorefractive effect is in the base of any future device of optical signal treatment. Precise modelisation of this effect requires a good knowledge of the thermal and optical characteristics of the deep levels inducing it. In this context, a complete study of deep levels using Photo Induced Current Transient Spectroscopy, Deep Level Transient Spectroscopy and Deep Level Optical Spectroscopy was carried out on cite and CdZnTe crystals doped with vanadium or titanium. We detected two principal electron levels, one at 0. 95 eV related to vanadium and the second at 0. 78 eV probably associated to a vanadium complex. These levels can explain well the photorefractive behaviour of vanadium doped CdTe and CdZnTe crystals. In the case of titanium doped CdZnTe crystals an electron level at 0. 83eV is detected. Taking into account the resonance band observed by Deep Level Optical Spectroscopy relative to the internal transition 3 A2(F) to 3T 1(P) of T?+ in titanium doped CdZnTe. This level is for the first time attributed to the simple donor lev el of titanium in the site of cadmium

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Informations

  • Détails : 1 vol. (183 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p

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  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées (Villeurbanne, Rhône). Service Commun de la Documentation Doc'INSA.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : C.83(2000)
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