Etude de dispositifs mos fabriques sur carbure de silicium pour la microelectronique haute temperature

par EDWIGE BANO

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Sorin Cristoloveanu.

Soutenue en 1997

à l'INP GRENOBLE .

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  • Résumé

    Du fait de sa large bande interdite, d'un fort champ de claquage, d'une tres bonne conductivite thermique et de nombreuses autres proprietes specifiques, le carbure de silicium (sic) est un excellent candidat pour des applications haute temperature, haute puissance et haute frequence. Ce memoire est consacre a l'analyse de dispositifs mos sic par la caracterisation electrique. Le premier chapitre donne une description detaillee de la structure cristallographique et des proprietes physiques et electriques du materiau sic. Les principales etapes technologiques sont egalement presentees. Dans le second chapitre, nous developpons une analyse des proprietes des etats electroniques de l'interface sic/sio#2. Cette etude a permis d'une part, de degager les caracteristiques des etats d'interface et d'autre part, d'evaluer et de localiser la charge fixe dans l'oxyde. Le troisieme chapitre est dedie a l'aspect fiabilite des structures mos sic, de la temperature ambiante jusqu'a 350c. Dans une premiere partie, la hauteur de barriere entre la bande de conduction du sic et celle du sio#2 est estimee. Dans la seconde, les proprietes de piegeage des oxydes thermiques realises sur sic sont degagees a partir d'injections fowler-nordheim, realisees en fonction de la temperature et du champ electrique. Le dernier chapitre traite des phenomenes de transport electronique dans les transistors mos sic. Le desordre dont souffrent les couches d'inversion sic limite les performances des transistors mos sic actuels, surtout autour de la temperature ambiante. Le transport electronique particulier qui en resulte est mis en evidence par des mesures de conductivite et l'etude du bruit electrique basse frequence. L'effet du desordre sur les porteurs chauds est egalement traite par l'etude du courant substrat.


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  • Détails : 1 vol. (150 p.)
  • Annexes : 173 REF.

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