Etude de la realisation de materiau silicium sur isolant (soi) a partir du collage par adhesion moleculaire silicium sur oxyde (procede smart-cut)

par CHRISTOPHE MALENILLE

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Sorin Cristoloveanu.

Soutenue en 1997

à l'INP GRENOBLE .

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  • Résumé

    Le materiau soi presente de nombreux avantages pour les composants basse consommation et basse tension, ce qui le positionne comme materiau de base pour les applications microelectroniques futures. Le nouveau procede smart-cut, permettant la fabrication de materiau soi, combine deux technologies de base : l'implantation d'hydrogene et le collage par adhesion moleculaire, assurant ainsi la possibilite de production de fort volume a faible cout. Cette these traite de l'etape de collage par adhesion moleculaire, du recuit haute temperature de la structure soi et des caracteristiques du materiau fini. Les mecanismes de formation des defauts macroscopiques lors du transfert du film soi ont ete identifies ; il a alors ete possible de developper une sequence de nettoyage avant collage optimisee, evitant la formation de ces defauts. La mise en oeuvre d'un outil specifique permettant une analyse par reflexions internes multiples, en spectroscopie infrarouge, des structures collees a permis d'observer l'evolution chimique de l'interface de collage dans le cas de collages silicium/silicium, silicium/oxyde thermique et silicium/oxyde thermique implante. La correlation de ces resultats microscopiques avec une caracterisation macroscopique de l'energie du collage a mene a la comprehension des mecanismes de collage. Les specificites du recuit haute temperature et de l'oxydation de la structure soi ont ete apprehendees. Cette etape de recuit a alors ete optimisee. Le materiau soi-unibond alors obtenu est compatible avec les besoins de l'industrie ulsi.


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Informations

  • Détails : 214 P.
  • Notes : CONFIDENTIEL JUSQU'EN 2004
  • Annexes : 191 REF.

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