Etude des mecanismes de creation de defauts lors de la realisation de structures minces silicium-sur-isolant par les procedes simox faible dose et smart-cut#

par CAROLINE GUILHALMENC

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Sorin Cristoloveanu.

Soutenue en 1997

à l'INP GRENOBLE .

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  • Résumé

    Les materiaux silicium-sur-isolant (soi) presentent de nombreux avantages pour la production de nouvelles generations de circuits integres fonctionnant a tres basses tensions. Ils constituent desormais l'une des voies principales de recherche dans le domaine de la microelectronique a tres grande densite d'integration. Pour cela, il est necessaire de mettre au point des techniques permettant d'obtenir des materiaux soi de bonne qualite, capables de rivaliser avec le silicium massif. Les mecanismes de creations de defauts lors de la realisation de deux types de substrats soi, simox faible dose et unibond# (obtenus respectivement par les techniques simox et smart-cut), ont ete etudies. Apres implantation de faibles doses d'oxygene (technique simox), la formation de couches enterrees d'oxyde au cours du recuit a haute temperature a ete apprehendee. L'etude des mecanismes de croissance et de coalescence des precipites d'oxyde a haute temperature a permis d'ameliorer la qualite dielectrique des couches enterrees de silice. Enfin, une etude systematique des defauts (dislocations, fautes d'empilement) et des proprietes electriques des films de silicium de ces deux materiaux, a ete menee par differentes techniques de caracterisation. Elle constitue la premiere synthese comparative des qualites de ces materiaux soi, qui presentent actuellement un fort potentiel pour la realisation de circuits integres tres performants.


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Informations

  • Détails : 149 P.
  • Notes : CONFIDENTIEL JUSQU'EN 2002
  • Annexes : 110 REF.

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