Etude et realisation de structures avancees d'isolement par tranchees peu profondes pour technologies cmos 0,25 m

par PASCAL SALLAGOITY

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Gilbert Vincent.

Soutenue en 1997

à Grenoble 1 .

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  • Résumé

    Pour les technologies micro-electronique cmos 0. 25 micrometres et en dessous, l'isolement par tranchee peu profonde ou box s'est largement impose pour poursuivre l'integration des circuits integres. Ce procede d'isolement lateral, qui consiste a remplir d'oxyde une tranchee gravee dans le silicium du substrat, possede plusieurs avantages: une bonne planeite, une perte de cote nulle de la zone active du circuit, et une haute densite d'integration. Ces caracteristiques sont toutefois le resultat d'une optimisation delicate de chacune des etapes technologiques critiques du procede. De plus, la morphologie de l'isolement box induit l'existence d'un effet electrostatique parasite sur le fonctionnement des dispositifs du circuit. Nous avons montre que cet effet parasite, appele effet de coin, peut-etre reduit voir elimine grace a une optimisation du procede d'isolement. Enfin, l'isolement par tranchee peu profonde possede d'excellentes qualites pour l'isolation electrique des dispositifs dans un circuit cmos. En usant de ces proprietes, nous avons optimise l'architecture des caissons afin de reduire les capacites de jonction, et augmenter l'immunite au latchup des circuits, tout en conservant une isolation electrique parfaite entre les dispositifs du circuit


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Informations

  • Détails : 320 P.
  • Annexes : 196 REF.

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  • Disponible pour le PEB
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