Etude du transport vertical dans les superreseaux iii-v a courte periode

par PIERRE GASSOT

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de JEAN CLAUDE PORTAL.

Soutenue en 1997

à Grenoble 1 .

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  • Résumé

    Le transport vertical au sein de nos superreseaux iii-v de type i a courte periode est consistant avec le modele de bloch. Les proprietes non-lineaires telles que la vitesse differentielle negative sont dues a la presence d'un point d'inflexion dans la dispersion energetique de la minibande de conduction fondamentale. L'utilisation de la pression hydrostatique permet de montrer la presence d'etats satellites xz, situes a environ 100 mev au dessus de la minibande fondamentale dans les superreseaux gaas/alas etudies, qui sont originaires de la partie longitudinale des vallees x des materiaux massifs et ou le transport s'effectue par sauts entre niveaux de wannier-stark a cause du faible couplage entre les puits x de alas. Dans ces cristaux anisotropes artificiellement crees, les proprietes de magnetotransport dependent fortement de l'orientation du champ magnetique. Lorsque ce dernier est applique dans le plan des couches, la competition entre la force de lorentz et la force electrique ainsi que la presence d'un point d'inflexion dans la minibande engendre l'apparition d'une region de magnetoresistance negative quelque soit la temperature lorsque le transport atteint le regime non-lineaire. D'un autre cote, un champ magnetique selon l'axe de croissance entraine la quantification en niveaux de landau du spectre electronique dans le plan des couches. La magnetoresistance, globalement positive quelque soit le champ electrique, presente alors des resonances magnetophonons traduisant l'augmentation du nombre des diffusions lorsque l'energie entre deux niveaux de landau correspond a celle d'un phonon optique longitudinal. Deux series de resonances magnetophonons ont ete formellement identifiees comme provenant de l'interaction des electrons avec les phonons optiques de gaas ainsi qu'avec ceux de alas. L'observation de ces derniers trouve son origine dans la penetration de la fonction d'onde electronique au sein des barrieres de alas et dans l'evanescence du phonon de alas au sein des couches de gaas


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Informations

  • Détails : 240 P.
  • Annexes : 137 REF.

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