Depots d'aluminium en phase vapeur a partir de complexes amines de alh#3. Etude cinetique et morphologique

par NOEL JOURDA DE VAUX

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de NORBERT GERARD.

Soutenue en 1997

à Dijon .

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  • Résumé

    Ce travail est une contribution a l'etude des cinetiques et des mecanismes intervenant dans des reactions solide/gaz. Le systeme choisi est la decomposition en phase vapeur d'un hydrure d'aluminium complexe, qui aboutit a la formation d'un depot d'aluminium metallique. Les depots d'aluminium sont deja connus pour leurs applications en anticorrosion. Mais depuis quelques annees, des recherches sont en cours afin d'utiliser ce metal en micro-electronique: sa tres faible resistivite electrique et sa place dans la classification periodique en font un bon materiau pour la realisation des interconnexions ou l'elaboration de semi-conducteurs. L'interet des complexes amines de alh#3 en tant que precurseurs pour la cvd reside surtout dans les faits suivants: ils ne possedent pas de liaisons al-c, ce qui diminue le risque d'une pollution du depot par le carbone, element indesirable pour les applications en micro-electronique. Ils sont aisement volatils, et leur temperature de decomposition est faible (elle est possible des 120c, et facile des 160c) ce qui permet d'obtenir des depots sur des matieres plastiques par exemple. L'etude cinetique du depot est effectuee a l'aide d'un dispositif mis au point au laboratoire: une enceinte cvd couplee a une balance de mac-bain. La decomposition thermique des precurseurs est assuree par des lampes a foyer, ce qui a pour avantage de ne provoquer le depot que dans la zone de focalisation, et non dans l'ensemble de l'enceinte, comme dans le cas d'une cvd traditionnelle. Ce travail nous a permis d'etudier l'influence sur la croissance et la morphologie des couches obtenues de chaque parametre experimental, a savoir: la nature du complexe amine utilise et la temperature a laquelle il est porte, donc la pression de vapeur disponible. La pression de gaz inerte dans l'enceinte, donc la facilite de diffusion du precurseur. La nature du support, et la temperature a laquelle il est porte


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  • Détails : 117 P.
  • Annexes : 104 REF.

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