Optimisation et compréhension des performances électriques de nouvelles technologies de transistors MOS en couche mince

par Salah Eddine Naimi

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de E. SCHEID.

Soutenue en 1996

à Toulouse 3 .


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  • Résumé

    L'objectif de ce travail est de reduire les temperatures mises en jeu lors de la fabrication de transistors a couche mince en silicium polycristallin tout en maintenant une mobilite de porteurs satisfaisante. Les proprietes electriques de ces transistors sont etudiees, et l'influence des procedes de realisation examinee. Une etude comparative entre les potentialites de transistors (mosfet) a couche mince en silicium polycristallin elaboree a partir de deux filieres gazeuses, le silane et le disilane, est entreprise. Les films de silicium polycristallin sont obtenus par cristallisation en phase solide a 600c (lta) et/ou 750c (rta: recuit thermique rapide) de films de silicium amorphe deposes par lpcvd a differentes temperatures (et pour differentes epaisseurs). L'analyse des resultats experimentaux montre une nette amelioration des caracteristiques electriques des transistors obtenue suite a l'utilisation du disilane. Une mobilite de 53 cm2/v. S est obtenue avec le depot a 465c a partir du disilane subissant un recuit a 600c suivi d'un recuit thermique rapide a 750c. Des mesures en temperature des caracteristiques electriques des transistors ont permis de monter que sous telles conditions le film de silicium polycristallin presente une faible densite de defauts. Ces memes mesures ont permis de verifier que le mecanisme poole-frenkel est a l'origine du courant de fuite

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  • Détails : vi-158 f

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  • Bibliothèque : Moyens Informatiques et Multimédia. Information.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : B-NAI
  • Bibliothèque : Université Paul Sabatier. Bibliothèque universitaire de sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1996TOU30231
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