Contribution à l'optimisation de structures lasers à puits quantiques contraints sur InP, à base des systèmes GaInAsP/GaInAsP/InP et GaInAs/GaInAlAs/InP. Applications aux télécommunications optiques

par Olivier Issanchou

Thèse de doctorat en Physique des solides

Sous la direction de Jean-Jacques Barrau.

Soutenue en 1996

à Toulouse 3 .


  • Résumé

    Ce memoire presente l'etude theorique et experimentale d'heterostructures semi-conductrices a puits quantiques contraints dans le but d'optimiser les performances de ces lasers infrarouges pour les telecommunications optiques. Les systemes envisages, epitaxies sur un substrat d'inp, sont gainasp/gainasp et gainas/gainalas. Dans une premiere partie nous exposons le modele theorique du calcul des etats electroniques, des courbes de dispersion dans le plan des couches, des forces d'oscillateurs et du gain intrinseque en fonction de l'injection, pour des heterostructures a puits quantique contraint. A partir de resultats experimentaux issus de la spectroscopie de photocourant, nous proposons un modele empirique du decalage de bande a l'interface pour les deux systemes, ne dependant que des concentrations des elements constitutifs de chaque alliage. Ensuite, nous effectuons la comparaison theorique de deux structures lasers de la famille gainasp realisees, soit a cation, soit a anion commun pour le puits et la barriere. En prenant en compte les effets des recombinaisons sur des centres non radiatifs dans ces systemes partiellement de type ii, nous interpretons leurs performances lasers respectives. Nous presentons enfin, l'etude theorique des heterostructures gainas/gainalas. Nous determinons la contrainte compressive optimale pour les performances lasers. Nous procedons egalement a la comparaison theorique des deux familles de structures gainas/gainasp et gainas/gainalas et faisons ressortir les meilleures potentialites lasers associees a la structure a base d'aluminium, en terme de courant de seuil et de sensibilite a la temperature.

  • Titre traduit

    Contribution to the improvement of strained quantum well lasers grown on inp, based with gainasp/gainasp/inp and gainas/gainalas/inp systems. Application to optical communication


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  • Détails : 241 p

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  • Cote : 1996TOU30187

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