Piegeage et neutralisation des defauts dans le silicium. Effets des traitements thermiques conventionnels et rapides. Influence de l'oxygene et du carbone

• Auteur / Autrice : KHALID MAHFOUD
• Direction : J.-C. MULLER
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées
• Date : Soutenance en 1996
• Etablissement(s) : Strasbourg 1

Résumé

Les materiaux cristallins de silicium sont tres differents les uns par rapport aux autres, en raison de la grande variete des processus de croissance adoptes par les divers fabricants. La structure cristalline et la teneur en impuretes residuelles varient suivant le type de croissance, le type de creuset et de l'atmosphere. En particulier, la contamination par le carbone et l'oxygene sera tres differente d'un materiau a l'autre. L'etude de l'evolution de la concentration de ces impuretes et des durees de vie des photoporteurs, en fonction de la temperature et de la duree de recuit, des differents cycles thermiques, en four conventionnel ou en four a lampes, montre que les caracteristiques electroniques (en particulier, la longueur de diffusion des porteurs minoritaires l#d), dependent fortement de l'interaction entre le couple c-o (carbone-oxygene), les metaux de transition et les defauts etendus, qui sont, en grande partie responsables de la recombinaison. Il va de soi que cet equilibre sera modifie lors des processus thermiques inherents a la fabrication du dispositif (traitement de gettering, formation de jonction, du champ arriere, passivation, etc)