Simulation numerique de la diffusion de dopants dans les materiaux iii-v pour les composants microoptoelectroniques

par Jérôme Marcon

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Kaouther Kétata.

Soutenue en 1996

à Rouen .


  • Résumé

    Le sujet de cette these concerne la modelisation et la simulation numerique de la diffusion des dopants dans les composants microoptoelectroniques a base de materiaux iii-v. Cette diffusion peut se produire au cours des traitements thermiques necessaires a la fabrication des composants (epitaxie, realisations de contacts,. . . ) dans un premier temps, les aspects physiques et technologiques de la diffusion sont abordes. Une attention particuliere est accordee au mecanisme substitutionnel-interstitiel de diffusion. La modelisation de la diffusion des dopants de type p dans les materiaux iii-v aboutit a la resolution numerique de systemes non lineaires d'equations differentielles aux derivees partielles. Deux methodes ont ete utilisees : la methode des differences finies sur le temps et sur l'espace et la methode des lignes. Plusieurs phenomenes physiques sont pris en compte dont les mecanismes de frank/turnbull et du kick-out auxquels s'ajoutent les effets des charges electriques, du champ electrique et de l'effet du niveau de fermi. Dans une derniere partie sont presentees les simulations des profils de diffusion du beryllium dans l'ingaas. L'ensemble des resultats obtenus est discute et compare avec les donnees precedemment publiees.


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 284 P.
  • Annexes : 207 REF.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université de Rouen. Service commun de la documentation. Section sciences site Madrillet.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 96/ROUE/S061
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.