Caractérisation du vieillissement électrique de transistors microniques n-Mos par l'étude de la jonction substrat-drain

par Marc Faurichon de la Bardonnie

Thèse de doctorat en Sciences physiques

Sous la direction de P. MIALHE.

Soutenue en 1996

à Perpignan .


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  • Résumé

    Ce travail propose une methode nouvelle pour l'etude des proprietes des transistors realises pour les composants de tres haute integration. Elle est appliquee a l'etude des degradations de leurs proprietes produits par des porteurs chauds produisant un vieillissement rapide des transistors microniques. Cette methode consiste en l'analyse du fonctionnement de la jonction substrat-drain par la determination des courants de recombinaison et de diffusion. La description de ses caracteristiques courant-tension permet d'extraire des parametres lies a sa structure. L'etude experimentale a ete faite en utilisant des plaquettes de test realisees en technologie cmos avec des transistors de largeurs et longueurs de grille comprises entre 25m et 0. 8m. Ces parametres ont ete obtenus dependants des dimensions et de valeurs sensibles aux contraintes electriques appliquees. Cette etude a permis de montrer que les defauts induits sont localises au niveau du drain et relies aux imperfections de structure apparaissant sur les pourtours des zones actives. Ces resultats permettent d'envisager le developpement d'une methode de test des composants par une analyse initiale a des fins de selection pour des applications specifiques

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  • Bibliothèque : Université Perpignan Via Domitia. Service commun de la documentation. Section Sciences.
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  • Bibliothèque : Université Perpignan Via Domitia. Service commun de la documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH 1996 FAU
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